本發明屬于半導體器件加工技術領域,尤其為一種形成氮化物半導體器件的工藝,針對現有的氮化物半導體器件的抗靜電能力弱,很容易因靜電損耗氮化物半導體器件的特性的問題,現提出如下方案,該生產工藝包括以下步驟:S1:選擇襯底和半導體器件的半導體堆疊體,半導體堆疊體依次在襯底上生長成溝道層和阻擋層;S2:對上述生長成的溝道層和阻擋層的頂部進行蝕刻,以便在溝道層和阻擋層的頂部形成凹槽。本發明設計合理,在溝道層、阻擋層和接觸層的非接觸位置均包裹了橡膠,有效的避免了電荷在氮化物半導體器件表面的流動,解決了氮化物半導體器件抗靜電能力弱的問題,擴展了氮化物半導體器件的適用范圍。
聲明:
“一種形成氮化物半導體器件的工藝” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發明人(作者)