本發明公開了一種鋯鈦酸鉛鐵電薄膜光電極及其制備方法,所述光電極包括導電基底、鋯鈦酸鉛薄膜以及二者之間的金膜,該電極在1.0V(vs.Ag/AgCl)的電壓條件下光電流密度可達200μA/cm2。其制備方法為:將基底清洗后蒸鍍金膜,在金膜上旋涂鋯鈦酸鉛膜,經退火、煅燒和封裝即得所述電極,制備工藝簡單,成本低,所得的薄膜均勻性好,具有良好的可見光吸收性能,且穩定性和光電轉換效率較之前的工藝也有明顯提高。
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