本發明提出了一種低溫制備納米碳化硅的方法,該方法采用“雙限域”過程,首先通過熱解二氧化硅/聚合物的復合物制備二氧化硅/碳的復合物,然后將得到的復合物與金屬鎂或鈣機械混合,在密閉的反應器內熱處理,最后,用鹽酸和氫氟酸依次清洗可得到納米結構SiC。在這一合成路線中二氧化硅/碳復合物中的碳骨架提供第一限域效應,限制納米SiC的長大,而密閉反應器提供第二限域效應,降低碳熱還原的溫度。該方法制備的納米碳化硅具有大的比表面積和豐富的孔隙,可以作為載體負載金屬銀催化劑,以及用于鋰離子電池負極材料。本發明提供的納米碳化硅制備方法,工藝過程簡單、便于實現規?;a。
聲明:
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