本發明公開了一種納米錫?二硫化鉬復合物負極材料及其制備方法和應用。本發明制備的材料,二硫化鉬呈片層結構,錫以顆粒形式彌散的分布于二硫化鉬片上,錫顆粒的粒徑為8~15nm。制備方法包括:用SnCl4溶液對二硫化鉬進行浸漬后,通過氫化還原的方法制備得到所述的錫?二硫化鉬復合物負極材料。本發明利用二硫化鉬的層狀結構,緩沖錫材料在嵌鋰過程中的體積變化,抵消部分內應力;提升錫基電極的循環穩定性。本發明中所制備的錫?二硫化鉬復合物電極的循環容量保持率較商品錫粉有顯著提高,且大電流放電時容量下降較小,平臺效應不明顯,倍率放電結束后容量損失率小。
聲明:
“納米錫-二硫化鉬復合物負極材料及其制備方法和應用” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發明人(作者)