本發明涉及半導體器件領域,公開了一種倒置結構OLED器件與制備方法,包括制備碳酸鋰?甲酸溶液;制備碳酸鋰?硼酸溶液;處理ITO透明陰極;在ITO透明陰極涂覆碳酸鋰?甲酸溶液和碳酸鋰?硼酸溶液中的一種,并退火得到電子注入層,最后在多源熱蒸發系統依次沉積BPhen電子傳輸層、PBD發光層、CBP空穴傳輸層、MoO3空穴注入層和Al陽極,得到倒置結構OLED器件。碳酸鋰?甲酸作為電子注入層,基于PBD發光層,OLED器件表現出優異的光電器件性能,有5.24mW/cm2的最大輻射度和2.47%的EQE,碳酸鋰?甲酸層表現出優異的電子性能并有助于電子注入,從而提高了倒置結構OLED器件的電光性能。
聲明:
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