本發明涉及一種高鎳材料及其制備方法與應用。所述高鎳材料的化學式為LiMO2,其中M是指NixCoyMnz,x=0.6~0.7,y=0.07~0.09,z=0.2~0.3;所述正極材料的結構中包含C2/m晶體結構。上述高鎳材料,通過合理控制材料中的鎳、鈷與錳的摩爾比,在結構中引入C2/m晶體結構,使其在充電過程中,過渡金屬層中產生少許空位點,該位點為混排到鋰層中的鎳遷移回過渡金屬層提供了空間,從而降低鋰鎳混排的程度。比起傳統抑制鋰鎳混排的方法,該高鎳材料能夠在充電過程中抑制并降低鋰鎳混排程度,同時,該高鎳材料在合成時結晶性良好,電化學性能(如循環保持率)有很大的提高。
聲明:
“高鎳材料及其制備方法與應用” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發明人(作者)