本發明公開了一種偏振無關的光開關,涉及半導體領域,光開關為左右對稱結構,包括:下包層、鈮酸鋰波導層、上包層和氮化硅層,鈮酸鋰波導層集成在下包層上方,氮化硅層在鈮酸鋰波導層上方,鈮酸鋰波導層與氮化硅層中間填充上包層;沿著光傳播方向依次在氮化硅層刻蝕均勻分光多模干涉耦合器和上下層間耦合結構的上半部分;在鈮酸鋰波導層刻蝕上下層間耦合結構的下半部分和偏振無關調制波導;在鈮酸鋰波導層的偏振無關調制波導兩側制作金屬電極,根據鈮酸鋰波導層的調制特征調整金屬電極的位置。該光開關利用氮化硅材料,實現了基本無源器件的偏振無關,同時利用鈮酸鋰材料的電光特性,實現了低損耗高速的調制特性。
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