本發明屬于薄膜制備技術領域,具體涉及一種基于磁控濺射的在鈮酸鋰基片上的鈦酸鍶鋇成膜方法。包括如下步驟:將待濺射鈮酸鋰基片移入真空室室內并放置于樣品座上;將真空室內的靶材的角度調整到預設角度,調節靶材到基板的距離到預設距離;對真空室進行抽真空,到達本底真空;通入氧氣和氬氣,在基片上濺射二氧化硅;在氬氣環境下,打開直流電源在基片上濺射金屬鈦;在氬氣環境下,打開直流電源在基片上濺射金屬鉑;將基片加熱至400攝氏度后,在氧氣和氬氣條件下,打開射頻電源在基片上濺射鈦酸鍶鋇;完成步驟70后,加熱基片至650攝氏度,在氧氣環境下退火。本發明不僅簡化了步驟并且節約了成本;且鈦酸鍶鋇薄膜結晶效果良好。
聲明:
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