一種以鋰氮雙受主共摻方式制備p型氧化鋅基薄膜的方法,本發明屬于半導體薄膜制備領域,為克服現有技術中p型ZnO基薄膜制備方法的可重復性低,制備出的p型ZnO基薄膜有效性差和摻雜元素摻入量不能夠靈活調控等技術缺陷。該方法包括:以具有單晶結構的ZnO薄膜為平臺,用離化的N、O等離子體作為N摻雜源和O源,高純金屬Li作為Li摻雜源,高純金屬Zn作為Zn源,高純II族金屬作為相應所需元素的生長源,制備鋰氮雙受主共摻的p型ZnO基薄膜。本發明與現有制備p型ZnO基薄膜的方法相比,具有如下優點:1、可重復性高。2、摻入量可調。3、得到的p型ZnO基薄膜可用于光電器件。
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