本發明提供了一種基于鋰鎳氧化物材料的選通管及其制作方法,該選通管包括底層電極;中間層材料,位于所屬底電極一側表面;頂層電極,位于所述選通管材料層遠離所述底層電極一側表面。其中,所述底層電極的材料為泡沫鎳(Ni form)、泡沫銅、金屬鎳片、金屬銅片、金屬鎳薄膜和金屬銅薄膜的一種;所述中間層材料為鋰鎳氧化物LixNiO2?δ(0<x≤1);所述頂層電極為金屬鉑、金屬金的一種。本發明的一種基于鋰鎳氧化物材料的選通管,具有Forming?free的特性,不需要Forming過程就可以直接表現出雙向閾值轉變的性能,且有穩定的閾值電壓和保持電壓,將其作為整流器件,可有效抑制RRAM存儲器陣列中的串擾電流。本發明選通管具有結構簡單、工藝簡單、價格低廉等的特點。
聲明:
“基于鋰鎳氧化物材料的選通管及其制作方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
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