本發明公開一種銅銦鎵硒(Cu(In,Ga)Se2)薄膜表面修飾的方法,涉及光電功能材料和新能源技術領域。本發明的特點在于:在銅銦鎵硒薄膜上沉積一定厚度的金屬薄膜或合金薄膜,再將其置于反應性氣氛下高溫退火,沉積的金屬或合金與銅銦鎵薄膜表面的銅硒二次相(CuxSe)反應形成寬帶隙的銅硒多元金屬化合物,達到除去CuxSe的目的。該表面修飾方法避免了傳統修飾方法采用KCN刻蝕CuxSe有劇毒不環保的缺點,具有成本低、重現性好和適合薄膜大面積生長等優點,可實現薄膜表面帶隙寬度的提高和梯度帶隙的形成,且明顯降低pn結界面復合,有效提高器件的開路電壓。
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