本發明涉及納米材料與微結構技術領域,公開了一種基于均勻的化學鍍鎳硅微通道襯底結構上生長均勻納米結構材料的方法,其步驟包括:通過激光切割出所需形狀的從硅襯底剝離的硅微通道,用化學鍍鎳的方法在微通道表面均勻生長一層鎳導電層;調整沉積鎳的時間使得所得到的鍍鎳硅微通道的電阻低于兩歐姆;然后在鍍鎳微通道表面通過水熱法生長一層納米結構,這層納米結構是由CoMoO4這種復合金屬氧化物構成的,本發明利用水熱法在微米孔徑的鍍鎳硅微通道表面和內部生長納米結構,提高了結構的均勻性與穩定性,避免了物理方法輸運材料到微通道內部造成的微通道的嚴重堵塞,同時自身具有良好的電化學活性,有望應用于新能源領域。
聲明:
“基于p型硅微通道表面均勻納米修飾的方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發明人(作者)