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            > 用于人工光合作用的氮化鎵基器件及其制備方法

            用于人工光合作用的氮化鎵基器件及其制備方法

            822   編輯:管理員   來源:中冶有色網  
            2023-03-18 20:28:03
            本發明公開了一種用于人工光合作用的氮化鎵基器件,自下而上有金屬襯底(Cu、In、Sn、Ag、Au、Pb、Cd等)、n+?GaN、InGaN層、其制備步驟如下:在n型重摻的GaN層上利用分子束外延技術生長InGaN層,再將獲得的GaN基外延片用物理或者化學方法(如鍵合、倒裝焊、導電膠等)與金屬襯底上粘合在一起,使得GaN基電池中的電子可以順利導入到金屬基板上,獲得用于人工光合作用的氮化鎵器件。本發明的氮化鎵器件具有吸收系數高、電子空穴分離效率高、電流均勻性好的優點,可作為光陽極材料用于人工光合作用中,對減少二氧化碳排放以及新能源的開發利用具有非常重要意義。
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