本發明涉及一種制備有機?無機復合半導體單晶薄膜的空間限位溶劑輔助生長方法。首先將有機?無機復合半導體多晶薄膜吸附一定量的溶劑蒸汽,再將拋光的蓋片放置于薄膜表面,將多晶薄膜和蓋片一起用柔性薄膜包封后放入高壓熱壓釜內,用液態傳壓傳熱介質填滿熱壓釜后密封,并在熱壓釜上施加高壓后開始加熱。在恒溫恒壓處理一定時間后,逐步冷卻到室溫,緩慢地卸掉壓力即得由大尺寸、高結晶度的晶粒組成、晶粒界面結合良好的有機?無機復合半導體單晶薄膜。本發明制備的有機?無機復合半導體單晶薄膜可用于研制高性能太陽能電池、電致發光器件、光敏探測器等半導體光電功能器件,在新能源技術、顯示設備制造以及自動控制等領域有重要的應用價值。
聲明:
“制備有機?無機復合半導體單晶薄膜的空間限位溶劑輔助生長方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
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