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            > 制備有機?無機復合半導體單晶薄膜的空間限位溶劑輔助生長方法

            制備有機?無機復合半導體單晶薄膜的空間限位溶劑輔助生長方法

            1156   編輯:管理員   來源:中冶有色網  
            2023-03-18 20:19:41
            本發明涉及一種制備有機?無機復合半導體單晶薄膜的空間限位溶劑輔助生長方法。首先將有機?無機復合半導體多晶薄膜吸附一定量的溶劑蒸汽,再將拋光的蓋片放置于薄膜表面,將多晶薄膜和蓋片一起用柔性薄膜包封后放入高壓熱壓釜內,用液態傳壓傳熱介質填滿熱壓釜后密封,并在熱壓釜上施加高壓后開始加熱。在恒溫恒壓處理一定時間后,逐步冷卻到室溫,緩慢地卸掉壓力即得由大尺寸、高結晶度的晶粒組成、晶粒界面結合良好的有機?無機復合半導體單晶薄膜。本發明制備的有機?無機復合半導體單晶薄膜可用于研制高性能太陽能電池、電致發光器件、光敏探測器等半導體光電功能器件,在新能源技術、顯示設備制造以及自動控制等領域有重要的應用價值。
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