本發明涉及一種綁定單靶濺射制備Cu3SnS4吸收層的方法,屬于光電薄膜材料及新能源技術領域。本發明將預處理襯底放置到磁控濺射腔室內的樣品架上,將綁定純銅靶的三元銅錫硫靶材安裝于磁控濺射腔室內,調整綁定純銅靶的三元銅錫硫靶材和濺射腔體內基底之間的靶基距為80~90mm;將濺射室內本底真空度抽至2.0×10?4~6.0×10?4Pa,設定工作真空度為0.4~0.5Pa,襯底溫度為80~320℃、樣品旋轉速度為10~20r/min,工藝氣體的流量為20~30sccm;預濺射除去靶材表面雜質;在襯底上采用綁定純銅靶的三元銅錫硫靶直流濺射沉積銅錫硫(Cu3SnS4)前驅體層薄膜,其中濺射功率為30~70w,銅錫硫Cu3SnS4前驅體層薄膜厚度為790~810nm;在氮氣氛圍下,將銅錫硫(Cu3SnS4)前驅體層薄膜置于過量硫粉中進行硫化退火處理得到Cu3SnS4吸收層。
聲明:
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