本發明提出一種含In2S3納米晶的硫鹵玻璃陶瓷及其制備技術。該玻璃陶瓷的組分為GeS2:40-70mol%;In2S3:15-25mol%;CsI:5-35mol%,其中,In2S3與CsI的摩爾比大于1。該玻璃陶瓷的制備過程包括前驅玻璃的熔體急冷法制備和前驅玻璃的后續晶化處理兩個步驟。本發明通過改變In2S3與CsI組分的摩爾比,可以制備出一系列含有單一In2S3納米晶的硫鹵玻璃陶瓷。該類納米復合材料具有高的紅外透過率和良好的熱學與機械性能,可望開發為紅外窗口材料和發光介質。
聲明:
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