本發明提供了一種鉍系半導體Bi2MO6復合TiO2納米管陣列的制備方法,屬于納米復合材料技術領域。具體制備方法的步驟為:首先通過電化學陽極氧化法在金屬鈦或鈦合金表面制備TiO2納米管陣列,然后對其進行半導體復合,制備得到了一種鉍系半導體Bi2MO6復合的TiO2納米管陣列。該半導體復合材料制備方法簡單,化學穩定性好,具有獨特的納米異質結結構,這種特殊的構造可以有效抑制光生電子?空穴對的復合,使光電轉換效率增高,為高性能光電轉換材料的開發和應用提供思路。
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