本發明涉及一種采用共沉淀+熱蒸發技術原位合成錐狀SiC晶須的制備方法,通過CVI法在碳纖維預制體上沉積一層碳,填補預制體表面缺陷和提供充足的反應原料;其次將預制體放入含有催化劑的尿素溶液中浸漬,煅燒、還原制得納米催化劑;再將該含有納米催化劑的樣品懸掛于裝有硅粉與碳粉均勻混合的石墨模具內部頂端位置,之后經過一定溫度的熱處理,即可制得錐狀SiC晶須。本發明制備方法簡單、無污染且安全穩定,可有效地提高復合材料的防氧化能力、斷裂韌性、抗蠕變能力以及基體與增強體的結合強度??蓱糜谔?碳、碳/陶、鎂基以及鋁基復合材料中,具有很好的經濟及社會效益。
聲明:
“共沉淀與熱蒸發技術原位合成錐狀SiC晶須的制備方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發明人(作者)