本發明是一種在多層空心花狀納米片二氧化錫表面上異質生長三氧化二鐵的制備方法,屬于納米材料制備的技術領域,該方法先制備多層空心花狀納米片二氧化錫,然后以多層空心花狀納米片二氧化錫為前驅體,將其分散在水溶液中,加入十水硫酸鈉和六水三氯化鐵,在一定溫度下通過水熱反應,使其反應生成三氧化二鐵納米棒的前驅物,并且在制備的多層空心分等級花狀納米片二氧化錫表面上異質生長,通過450度退火2小時,得到多層空心花狀納米片二氧化錫表面上異質生長三氧化二鐵的復合材料。本發明提供了一種新型的半導體納米復合材料制備方法,通過異質復合生長,將二氧化錫和三氧化二鐵復合在一起,可以表現出優異的氣敏性能。
聲明:
“多層空心二氧化錫花狀納米片表面生長三氧化二鐵納米棒的制備方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
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