本發明涉及一種高純度多壁碳納米管的制備方法。具體地說是在一種溫和條件下(溫度為1000℃、無毒害、安全),以活性炭為原料,二茂鐵為催化劑,氮氣氣氛保護條件下,采用熱化學氣相沉積法高純度合成多壁碳納米管的方法。本發明制備過程和設備簡單,安全易操作,制備的多壁碳納米管純度高,管徑大小均勻,內徑15~25NM,外徑40~60NM,長度達數百納米至微米級。多壁碳納米管表面光滑。產品性能優良等特點,適用于多壁碳納米管的大量生產。所制得的多壁碳納米管可用于電子器件、場發射、儲氫材料、化學傳感器和增強復合材料等諸多方面。
聲明:
“高純度多壁碳納米管的制備方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
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