一種垂直基底生長的環糊精插層水滑石薄膜及其制備方法,屬于有機-無機復合材料及其制備技術領域。插層水滑石的化學式為:[(M2+)1-x(M3+)x(OH)2x+(CMCDn-)x/n·mH2O。制備方法先將鋁片在恒電壓條件下陽極氧化;再分別稱取二價金屬鹽,陰離子修飾的環糊精和NH4NO3溶解于去離子水中配成反應合成液,再用氨水調節反應合成液的pH在5.9~8.5之間。將陽極氧化鋁/鋁基片垂直懸吊在上述反應合成液中,在一定溫度下反應一定時間制得環糊精插層水滑石膜。優點在于:利用原位生長技術得到的環糊精插層水滑石薄膜固定于鋁基底上,實現了水滑石的固定化和器件化,且得到的水滑石具有一定的機械強度,這將極大方便環糊精插層水滑石材料在生產生活中的應用。
聲明:
“垂直基底生長的環糊精插層水滑石薄膜及其制備方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發明人(作者)