本發明公開一種硅納米線—聚吡咯復合材料的制備方法,以硝酸銀和氫氟酸對單晶硅片進行金屬輔助化學刻蝕,以在單晶硅片形成垂直于表面的硅納米線,然后在單晶硅片表面旋涂十二烷基苯磺酸和過硫酸銨的混合溶液,再置于密閉聚合裝置中,吡咯單體溶液的上方,抽為負壓進行聚合,以得到硅納米線—聚吡咯復合材料。本發明克服傳統液相化學聚合法和電化學制備方法的諸多缺點,制備方法簡單,成本低廉,功耗低,合成的聚吡咯薄膜致密均勻,利用本發明方法構筑的聚吡咯表面修飾一維硅基氣敏材料對特定氣體具有高的室溫靈敏度和快速響應恢復性能。
聲明:
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