本發明公開了一種應用于多芯片T/R組件封裝殼體的高硅鋁復合材料的鍍金方法,該方法的前處理按常規鋁合金電鍍二次浸鋅處理方法分為清洗除油、堿蝕、出光、一次浸鋅、退鋅和二次浸鋅六個步驟;之后的操作步驟如下:1.在化學鍍鎳液中預鍍化學鎳;2.按常規鍍鎳方法第一次鍍鎳,鎳層厚度2~3微米;3.時效處理;4.活化處理;5.按常規鍍鎳方法第二次鍍鎳,鎳層厚度2~3微米;6.以純金板或鉑金鈦網作為陽極,高硅鋁復合材料為陰極,按常規鍍純金的方法,金層厚度2~3微米;7.鍍層結合力檢測。10倍放大鏡下觀察鍍層無起皮鼓泡現象,鍍層結合力很好。
聲明:
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