本發明涉及一種高導熱金剛石改性碳化硅陶瓷基復合材料的定向導熱通道構筑方法,步驟為多孔預制體制備、漿料配制、激光打孔、漿料浸漬、樹脂固化裂解和液硅滲透。本發明所提供的技術方案能制備出力學性能和熱導率良好的SiC?CMC。而且,采用激光打孔的方法引入三維的熱導通路,體現了本方法的微結構和材料性能的可設計性,為發展高熱導SiC?CMC的制備提供了一定的思路和工藝方法。采用這種方法制備的碳化硅陶瓷基復合材料厚度方向的導熱率預計能在原有基礎上提高10~20倍,表現出良好的熱傳遞效率,能有效的進行熱量傳輸,防止由熱量集中導致材料的損傷和失效。
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“高導熱金剛石改性碳化硅陶瓷基復合材料的定向導熱通道構筑方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
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