一種半導體型共軛聚合物/碳納米管復合材料光電轉換薄膜的制備方法,屬于光電轉換材料技術領域,所述方法為將半導體型單壁碳納米管和半導體型共軛聚合物溶解分散在氯仿中,比例為1:0.1?0.3,在超聲處理后,獲得的溶液在溫度為27°C、氮氣環境下制膜,經光刻獲得Au電極,獲得的膜干燥后置于真空干燥機中保存。本發明設計寬吸收、低能隙和高載流子遷移率的新型共軛聚合物/碳納米管納米復合材料,提高光能的吸收效率和轉換效率。
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