本發明涉及新材料領域,旨在提供一種銀/高熵羥基氧化物納米復合材料的制備方法。本發明采用電化學循環的方法制備高熵羥基氧化物納米片,并在其表面沉積銀納米粒子。在電化學循環過程中,銀箔上負載的前驅體與銀箔表面在正的電位下形成的氧化銀同時進行溶解?沉積反應。大部分銀離子會奪取其他元素離子的電子而還原為單質銀,少部分銀離子則由于電子不足而仍以離子狀態存在于高熵羥基氧化物中,而最終形成銀/高熵羥基氧化物復合催化劑材料。本發明能夠提高高熵羥基氧化物中的雜化度,使得復合催化劑相比未復合催化劑具有更好的催化活性。同時能提高復合材料的整體導電性,實現導電能力的協同提升。
聲明:
“銀/高熵羥基氧化物納米復合材料的制備方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
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