本發明提出了一種高ZT值的BiSbTe基納米復合材料的制備方法,包括如下步驟:將Bi粉末、Sb粉末、Te粉末和SiC粉末在球磨機中研磨后進行放電等離子燒結,得到塊體Bi0.3Sb1.7Te3+xvol%SiC,其中,x=0.1,0.4或0.6。本發明的制備方法,將SiC納米粒子分散入BiSbTe基體中能夠有效提高熱電性能。本發明制備的納米復合材料中,SiC納米粒子與Bi0.3Sb1.7Te3基體形成了共格界面,同時提高了電導率和Seebeck系數,同時通過增強聲子散射降低了熱導率,SiC納米粒子進一步賦予BiSbTe材料優秀的機械性能,有利于實際應用和器件制備。
聲明:
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