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            > SiO2@ Tb(phen-Si)L核殼結構納米發光復合材料的合成方法

            SiO2@ Tb(phen-Si)L核殼結構納米發光復合材料的合成方法

            1066   編輯:管理員   來源:中冶有色網  
            2023-03-18 16:09:02
            一種SiO2@ Tb(phen-Si)L核殼結構納米發光復合材料的合成方法。以粒徑為500nm的SiO2微球為內核,用phen-Si修飾。以亞砜和高氯酸鋱有機配合物為包覆層,合成SiO2@ Tb(phen-Si)L核-殼型稀土納米發光復合物。本發明屬于稀土有機發光材料領域。主要解決的問題是將以往的SiO2摻雜類型的稀土發光材料做成核殼型稀土發光材料。具體方法是用硅烷偶聯劑phen-Si做“分子橋”,使其一端與硅球連接, 另一端的雙N原子與稀土Tb3+配位,同時亞砜配體也可以與Tb3+配位,結果在phen-Si修飾的SiO2微球外層包覆上稀土亞砜配合物,得到兩種新的SiO2(500)@Tb(Phen-Si) L(20) ,SiO2(500)@Eu(Phen-Si)L(100)的SiO2核殼結構納米發光復合材料。本發明材料制備方法簡單,稀土有機配合物包覆層為納米級,故高純稀土用量極少,成本低。同時獲得了發光性能優異的核殼結構納米發光材料。
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