本發明屬于材料生產領域,具體涉及一種滿足5G高頻高速技術所要求的低熱膨脹復合材料的制備工藝;本發明通過納米碳化硅對多孔石墨烯的孔隙進行填充;再將超支化聚酰胺投入混合液中,超支化聚酰胺通過作用力較強的化學鍵緊密且交錯地排列在多孔石墨烯的表面及其孔隙的內壁中,最終在其表面形成一層密集排布的三維網絡結構,對填充在多孔石墨烯孔隙中的納米碳化硅進行有效地“固定”;通過納米碳化硅的填充作用,不僅使得所制備的多孔石墨烯具有很好的導熱性能,而且其本身還具有很好的低熱膨脹性能;其與UIO?66、CuO及WO3共同作為制備復合材料的原料,進一步提高了復合材料的導熱性能,同時使其具有低熱膨脹率的特點。
聲明:
“低熱膨脹復合材料的制備工藝” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發明人(作者)