本發明公開了一種在C/C復合材料表面制備B2O3@SiO2核殼?SiC涂層的方法及復合涂層,首先通過二次包埋法在C/C復合材料表面制備SiC內涂層,然后以正硅酸乙酯(TEOS)為前驅體,采用溶膠凝膠法制備B2O3@SiO2核殼粉體,后通過熱浸漬法在SiC表面制備B2O3@SiO2核殼外涂層,形成B2O3@SiO2核殼?SiC涂層,有效的緩解了C/C復合材料高溫下易氧化的問題。制備的B2O3@SiO2核殼?SiC復合涂層試樣在1173K的空氣中氧化130h失重率僅為1.05%,該復合涂層具有良好的抗氧化性,可有效防止氧氣侵入C/C基體。
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