本發明涉及一種低成本熔硅浸滲法制備C/SiC復合材料的方法。該方法包括步驟:將碳氈或石墨氈于400~600℃溫度煅燒預處理;預處理后的碳氈或石墨氈浸入三聚氰胺和硼酸溶液中,涂覆一層氮化硼保護層;再浸入碳/碳化硅漿料水溶液浸滲,使碳氈或石墨氈孔隙中充滿碳/碳化硅,置于燒結爐中,在1600-1800℃溫度下進行一次熔融滲硅處理;再浸入液體酚醛樹脂中,然后在800-1000℃、惰性氣氛保護下碳化處理,使樹脂全部碳化,最后進行二次熔融滲硅處理,使樹脂碳化產生的碳與硅全部反應生成碳化硅,得到C/SiC復合材料。所得C/SiC復合材料致密度高、氣孔和游離硅的含量低,材料強度、韌性和摩擦磨損性能好,可用于制作剎車片。
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