本發明公開了一種一維導電聚吡咯/凹凸棒納米復合材料的制備方法,包括以下步驟:將納米凹凸棒粉體和水混合均勻,制成凹凸棒粉體重量百分含量為0.2~4.9%的懸浮液;在攪拌的條件下,向懸浮液中加入吡咯,再向懸浮液中加入長鏈分子表面活性劑和摻雜劑,得到混合液;向混合液中加入氧化劑,在0~50℃氧化聚合3~24h后,過濾、洗滌和干燥后得到一維導電聚吡咯/凹凸棒納米復合材料。本發明以一維納米材料凹凸棒為硬模板、長鏈分子表面活性劑為軟模板,通過硬模板和軟模板相結合的方法制備一維導電聚吡咯/凹凸棒納米復合材料,制備的一維導電聚吡咯/凹凸棒納米復合材料尺寸均一可控,具有良好的導電性。
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