本發明提供了一種Cu3Mo2O9/BiVO4納米異質結構復合材料及其制備方法和應用,涉及納米半導體復合材料技術領域。本發明提供的Cu3Mo2O9/BiVO4納米異質結構復合材料包括具有十面體結構的BiVO4和負載在所述BiVO4表面的Cu3Mo2O9納米顆粒。在本發明中,BiVO4與Cu3Mo2O9復合形成異質結構,促進了光生電子與空穴的分離,降低了光生電子與空穴復合的幾率,拓寬了光響應范圍,提高了復合材料的光催化性能,與純相BiVO4相比,具有更強的可見光響應、更低的光生載流子復合率,更好的可見光催化降解性能和良好的循環性能,具有良好的應用前景。
聲明:
“Cu3Mo2O9/BiVO4納米異質結構復合材料及其制備方法和應用” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
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