一種β-Ga2O3/SiC納米復合材料的制備方法。本發明涉及一種β-Ga2O3/SiC納米復合材料的制備方法。本發明是為解決現有方法存在的粒徑大、制備過程復雜和反應時間長的問題。方法:一、將尿素加入到去離子水中加熱并攪拌至尿素完全溶解,再加入Ga(NO3)3溶液,攪拌至得到無色透明溶液;二、轉移至內襯為聚四氟乙烯的容器中,然后將容器置入微波消解爐中加熱,反應結束后自然冷卻至室溫,得到γ-Ga2O3前驅體;三、逐滴加入到SiC,然后先微波蒸干水分,再微波熱處理,得到含SiC的固體混合物;四、將含SiC的固體混合物加入到去離子水中離心,再真空干燥,得到β-Ga2O3/SiC納米復合材料。
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