權利要求
1.半導體器件的制作方法，其特征在于，至少包括以下步驟： 提供一襯底，在所述襯底上形成墊氧化層； 在所述襯底內形成多個淺溝槽； 在所述淺溝槽底部的所述襯底中注入雜質離子，形成埋層區； 在所述淺溝槽內沉積絕緣介質，形成第一淺溝槽隔離結構和多個第二淺溝槽隔離結構，所述第一淺溝槽隔離結構位于半導體器件內，所述第二淺溝槽隔離結構位于相鄰所述半導體器件之間； 在所述襯底內形成漂移區，且所述漂移區包裹所述第一淺溝槽隔離結構和所述第一淺溝槽隔離結構底部的所述埋層區； 在所述襯底內形成阱區； 在所述墊氧化層上形成柵極材料層，并刻蝕所述柵極材料層、所述第一淺溝槽隔離結構和所述墊氧化層，形成柵極結構； 在所述阱區內形成源區；以及 在所述漂移區內形成漏區。2.根據權利要求1所述的半導體器件的制作方法，其特征在于，所述埋層區的形成步驟包括： 形成所述淺溝槽后，在所述淺溝槽內壁和底部形成內襯氧化層；以及 向所述淺溝槽底部的所述襯底內注入所述雜質離子。 3.根據權利要求2所述的半導體器件的制作方法，其特征在于，所述雜質離子的注入能量為15keV~30keV。 4.根據權利要求2所述的半導體器件的制作方法，其特征在于，所述雜質離子的注入劑量為1x10 12 atoms/cm 2~1x10 14 atoms/cm 2。 5.根據權利要求1所述的半導體器件的制作方法，其特征在于，所述埋層區的底部呈方形或弧形設置。 6.根據權利要求1所述的半導體器件的制作方法，其特征在于，所述埋層區包裹的所述淺溝槽的深度，為所述淺溝槽深度的四分之一至二分之一。 7.根據權利要求1所述的半導體器件的制作方法，其特征在于，所述漂移區的深度大于所述淺溝槽的深度，所述漂移區還包裹與所述漂移區接觸的所述第二淺溝槽隔離結構底部的部分所述埋層區。 8.根據權利要求1所述的半導體器件的制作方法，其特征在于，所述阱區的深度和所述漂移區的深度相等，所述阱區包裹遠離所述漂移區一側的所述第二淺溝槽隔離結構底部的部分所述埋層區。 9.根據權利要求1所述的半導體器件的制作方法，其特征在于，形成
聲明：
“半導體器件及其制作方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究，如用于商業用途，請聯系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發明人(作者)
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編輯：中冶有色網
來源：合肥晶合集成電路股份有限公司
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2025年07月18日 ~ 20日 
