一種單壁碳納米管垂直陣列-碳納米洋蔥復合材料制備方法及其在超級電容器中的應用,屬于碳納米材料技術領域。底層為硅片,硅片上為垂直單壁碳納米管陣列,垂直單壁碳納米管陣列的頂端為碳納米洋蔥結構。先在硅片上垂直生長單壁碳納米管陣列,在單壁碳納米管陣列的頂端蒸鍍Si層,然后利用Si層生長碳納米洋蔥結構。單壁碳納米管垂直陣列-碳納米洋蔥復合材料除去底層硅片后用于超級電容器中。
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