本發明公開了一種原位生長SiC納米線改性SiCf/SiC陶瓷基復合材料的制備方法和應用,所述制備方法為將含金屬鍍層的石墨片與碳纖維預制體在不接觸的情況下共同置于化學氣相沉積爐,通過化學氣相沉積于碳纖維預制體的孔隙及表面原位生長SiC納米線,獲得帶SiC納米線的SiC纖維預制體,再通過化學氣相沉積獲得SiC基體,即得SiC納米線改性SiCf/SiC陶瓷基復合材料,本發明通過間接引入金屬催化劑,金屬催化劑呈氣相擴散到SiC纖維預制體的表面以及內部孔隙,催化劑分布更加均勻,催化生長的SiC納米線密度適中。得到的含SiC納米線SiCf/SiC復合材料,最大壓潰載荷可達1175.0N,與現有技術中的SiC納米線改性SiCf/SiC陶瓷基復合材料相比,本發明所得管狀SiCf/SiC復合材料壓潰性能大幅提升。
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