本發明揭示了一種PMU泵浦結構及其形成方法。該結構包括呈鏡像對稱的第一部分和第二部分,所述第一部分包括:半導體基底;形成于所述半導體基底上的外延層;形成于所述外延層中的第一障礙層;形成于所述外延層上的功能層,所述功能層包括距離第二部分自遠及近排列的第一P+區、第一N+區、第二P+區及第二N+區;以及位于所述功能層上的金屬互連層,所述金屬互連層使得第一N+區及第二P+區等電勢;所述第一障礙層與功能層之間形成有外延層。通過使得第一N+區及第二P+區等電勢,避免了第一N+區和第二P+區之間產生壓降,防止了外延層、第一障礙層及半導體基底之間漏電流的產生。
聲明:
“PMU泵浦結構及其形成方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發明人(作者)