本發明提供一種基于NbN約瑟夫森結的超導量子比特結構及其制備方法,該超導量子比特結構包括襯底、緩沖層、功能層、隔離層、第一配線部及第二配線部,其中,緩沖層位于襯底的上表面,功能層位于緩沖層的上表面且包括間隔設置的電容器、第一約瑟夫森結、第二約瑟夫森結及諧振器,隔離層填充功能層中的間隙并覆蓋功能層的顯露表面及襯底的上表面,且隔離層中設有第一接觸孔及第二接觸孔,第一配線部填充于第一接觸孔并與第一約瑟夫森結的上表面接觸,第二配線部填充于第二接觸孔并與第二約瑟夫森結的上表面接觸。本發明通過采用高阻率的硅作為襯底、絕緣性的TaN膜作為約瑟夫森結的結區,減少了襯底中電荷漲落,增強了超導量子比特的相干性。
聲明:
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