一種半導體結構及其形成方法,形成方法包括:提供基底,所述基底上形成有待刻蝕層;在所述待刻蝕層上形成圖形化的有機掩膜層;在所述有機掩膜層的表面形成無機保護層,所述無機保護層和所述有機掩膜層用于構成掩膜結構層;以所述掩膜結構層為掩膜,刻蝕所述待刻蝕層。本發明通過所述無機保護層,提高了所述掩膜結構層的耐刻蝕性,后續以所述掩膜結構層為掩膜刻蝕所述待刻蝕層時,能夠減緩刻蝕所述待刻蝕層的工藝對所述有機掩膜層的損耗,防止所述有機掩膜層過早地被完全消耗,使所述有機掩膜層能夠在刻蝕所述待刻蝕層的過程中起到應有的掩膜作用,從而有利于提高圖形化工藝的工藝穩定性和工藝效果。
聲明:
“半導體結構及其形成方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發明人(作者)