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            > 層狀中高介電常數低損耗微波介質陶瓷及其制備方法

            層狀中高介電常數低損耗微波介質陶瓷及其制備方法

            889   編輯:管理員   來源:中冶有色網  
            2023-03-18 15:07:02
            本發明公開了屬于電子功能材料與器件技術領域的一種層狀中高介電常數低損耗微波介質陶瓷及其制備方法。該陶瓷材料由A基片和B基片層狀粘合而成,其中A基片由質量百分比為16%~17%的BaO、6.5%~45%的Sm2O3、8.5%~37%的Nd2O3、36%~40%的TiO2和0.0%~3.0%的Al2O3構成,B基片由質量百分比為21%~22%的CaO、29%~30%的Sm2O3、30%~50%的TiO2和0.0%~18%的Al2O3構成;這種微波介質陶瓷材料的介電常數為60~80,Q×f值為13000~22000GHz,諧振頻率溫度系數為?5~+5ppm/℃。本發明制備的層狀結構微波介質陶瓷材料的綜合性能優于現有的中高介電常數微波介質陶瓷材料,制備方法避免了兩種基片材料在高溫下可能發生的化學反應,在介質諧振器、濾波器等微波器件制作領域有良好的應用前景。
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