本發明公開了一種鐵電存儲器用鐵電薄膜的紫外光輔助制備方法,屬 于微電子信息功能材料與器件領域。本發明鐵電存儲器用PZT前驅體溶液 濃度為0.1~0.3mol/l。每次旋轉勻膠后,都對薄膜進行烘烤并輔以均勻紫 外光輻照,光照度為10~15mW/cm2,接著進行熱解處理,最后PZT薄膜在 550~600℃下退火處理。本發明鐵電存儲器用PZT鐵電薄膜為多晶薄膜, 具有良好的鐵電性能、抗疲勞性能及漏電流特性,且結晶溫度低的優點, 可與現有的Si半導體工藝兼容。
聲明:
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