發明公開了一種碳納米管陣列的制備方法,主要解決現有碳納米管陣列的制備技術生產成本高,造成在大規模制備和工業化生產應用中受到限制的問題。其實現方案是:首先通過電化學沉積方法在多孔片狀基底上制備均勻排布的金屬化合物作為催化劑;再利用化學氣相沉積法,用二氰二胺作為唯一的碳源和氮源,在惰性氣體的保護下,在片狀多孔基底上制備碳納米管陣列;通過調節保溫階段的惰性氣體流量,實現碳納米管陣列的形貌調控。本發明工藝簡單、生產成本低,碳納米管陣列結構穩定,可用于功能材料和結構材料方面的復合材料構筑。
聲明:
“碳納米管陣列的制備方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
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