本發明屬于功能材料領域,涉及一種Al、F共摻雜的ZnO基透 明導電薄膜及其制備方法。其特征是包括以下步驟:1),首先制作 ZAFO靶材,利用AlF3、Al2O3和ZnO粉體,經過均勻混合后,分別 制成不同F含量的ZAFO靶材;ZAFO靶材中含有0.5~3.0wt%的 Al,0.82~3.28wt%的F,其余為ZnO;2),將制作好的ZAFO靶材, 安裝在射頻磁控濺射沉積設備真空室內,用機械泵、分子泵把真空室 的真空度抽到壓強小于3×10-3Pa,同時將基片溫度加熱到25℃~ 500℃;通過調節沉積工藝參數,采用射頻磁控濺射在基片上制備 ZAFO透明導電薄膜。本發明簡化了鍍膜工藝,改善了薄膜的導電性 和可見光透過率。
聲明:
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