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            > 鈦釔共摻雜氧化鋯常溫半導體陶瓷材料的制備方法

            鈦釔共摻雜氧化鋯常溫半導體陶瓷材料的制備方法

            895   編輯:管理員   來源:中冶有色網  
            2023-03-18 15:02:03
            本發明公開的一種鈦釔共摻雜氧化鋯常溫半導體陶瓷材料的制備方法,包括以下步驟:將ZrO2、Y2O3、Ti粉末進行混粉處理,然后取出烘干得到混合粉末;將混合粉末進行造粒壓樣得到成型樣品;將成型樣品進行排膠燒結;將排膠燒結完成的成型樣品放入真空爐內進行高溫燒結,隨爐冷卻后即得鈦釔共摻雜氧化鋯常溫半導體陶瓷材料。本發明的一種鈦釔共摻雜氧化鋯常溫半導體陶瓷材料的制備方法在ZrO2中摻雜Y2O3,可以在晶格中產生帶正電的氧離子空位,從而提高ZrO2的導電性,ZrO2材料中晶界相主要是由原料中SiO2等雜質在燒結過程中向晶界偏析而形成的,Ti元素的摻雜,可使Ti元素富集在ZrO2晶界位置,在常溫下晶界提供可自由移動的電子,使得導電性能大幅提高。
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