本發明涉及一種低溫化學氣相反應法制備SiC涂層的方法,主要用于碳素材料的抗氧化保護。該方法采用適量Si粉、SiO2粉以及適量SiO粉為反應原料,通過化學氣相反應法在較低溫度下制備SiC涂層。該方法工藝簡單,制備的涂層結構致密均勻,晶粒細小,不易產生裂紋,可以大大提高碳素材料的抗氧化、抗熱震性能。進一步優化通過浸漬碳化預先在碳素材料表面制備一層由細小碳顆粒碳組成的連續涂層,然后再采用結合上述的氣相反應法,進一步促進細小晶粒的形成,最終得到致密均勻、性能優異的SiC涂層。本發明制備工藝簡單,便于工業化應用。
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