本發明適用于半導體技術領域,提供了一種高純大尺寸SIC晶體襯底材料的制備方法,包括以下步驟:S1、按一定化學計量比稱量硅粉和碳粉,將它們混合均勻后加入到石墨坩堝中;S2、在S1中的石墨坩堝中添加含有氯元素的先驅體并攪拌均勻;S3、將S2中的石墨坩堝放入真空燒結爐中后關爐,待真空抽至≤10?4Pa以后,再充入稀有氣體至所需壓強;S4、按一定升溫速率進行升溫至所需溫度進行高溫合成,待一段時間后降溫后,停爐取出樣品。本發明通過添加含氯元素的先驅體,實現厚膜外延材料,單層外延層厚度達80微米,突破厚膜生長的重復性、穩定性、一致性等產業化瓶頸共性技術,并且消除硅滴以及硅組分失配等外延缺陷。
聲明:
“高純大尺寸SIC晶體襯底材料的制備方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
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