本發明提供了一種壓接式IGBT模塊單面燒結一致性的方法,該方法包括:從下至上將鉬片、焊片和IGBT芯片組裝到燒結卡具中、組裝限位銷壓制壓片和用連續真空燒結爐燒結構,制得壓接式IGBT模塊單面燒結連接結構。本發明提供的制備方法用連續式真空燒結爐,能夠大規模燒結芯片,極大地縮短了工序時長,效率高,速度快;本發明中提供的燒結方法將待燒結零件與卡具之間的接觸關系由面接觸轉變為點接觸,解決了燒結過程中焊料溢出損害卡具以及工件無法取出的問題,改善了燒結過程中焊料的溢出,確保了燒結后工件的高度一致性。
聲明:
“燒結卡具、壓接式IGBT模塊單面燒結方法及制得的子模組” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發明人(作者)