本發明公開了一種MoSi2/MoB/SiC三相陶瓷的制備方法,它的步驟如下:(1)首先,將MoSi2、SiC、C及B4C元素粉球磨混料,混合時間為8-72hr,并模壓成型,得到坯料;(2)將坯料室溫晾干,然后入烘箱烘干1-200hr,得到烘干后的坯料;(3)將烘干后的坯料移入鋪有金屬Si粉的真空燒結爐中,冷卻后獲得MoSi2/MoB/SiC三相陶瓷。本發明利用MoSi2、SiC、C及B4C混合元素粉模壓成型,所得材料孔隙率低于10%或以下,強度大于200MPa。該方法補充了現有高溫抗氧化強度材料品種,適合工業規模。
聲明:
“MoSi2/MoB/SiC三相陶瓷的制備方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
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