本發明屬于粉末冶金材料制備技術領域,提供一種含硅合金靶材及其制備方法。其靶材成分中硅含量為0<Si(at%)≤80%。本發明采用純度為99.5%~99.95%的鉻粉與純度為99.9%~99.999%的純硅粉機械合金化混合,或采用鉻粉與CrSi合金粉末混合制備合金粉末,將合金粉末冷等靜壓后裝填入包套內,經在加熱狀態下抽真空脫氣并封焊之后進行熱等靜壓處理、機加工等工序,獲得致密度高、顯微組織均勻的CrSi靶材。本發明制備的CrSi靶材,可用于電子、半導體、集成電路、防腐蝕、高耐磨性等鍍膜領域,制備具有低TCR高穩定性、高方阻的電阻薄膜,以及具有良好耐腐蝕性能、高硬度及良好耐磨性能的涂層。
聲明:
“含硅合金靶材及其制備方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
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